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大尺寸第四代半导体氧化镓单晶衬底
大尺寸第四代半导体氧化镓单晶衬底
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其他
平台:不详
坐标:深圳市
官网:不详
成立时间:2021-05-25
运营状态:不详
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项目介绍
第四代半导体氧化镓的性能是SiC的10倍,成本是其1/4,可帮助新能源车降低电能损耗、提升续航里程的同时降低造价,具有广阔的市场前景,但是氧化镓为超宽近代半导体材料,是科技部/国家自然基金委认定的最难生长、调控、加工的材料,所以几十年来全球仅日本NCT公司能够量产。本公司基于无铱工艺将为市场提供性价比极高的大尺寸氧化镓衬底产品。
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